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一紙收購，最新市值500億元的長電科技漲停了。

消息面上，3月4日晚間，長電科技公告，公司全資子公司長電科技管理有限公司（下稱“長電管理公司”）擬以現金方式收購晟碟半導體（上海）有限公司（下稱“晟碟半導體”）80%的股權，收購對價約6.24億美元（最終價格將根據交割前后的現金、負債和凈營運資金等情況進行慣常的交割調整）。

這項收購為什么被市場看好？

根據公告，晟碟半導體是全球知名存儲器廠商西部數據（Western Digital Corporation）的全資子公司，且資產頗為優質。

晟碟半導體成立于2006年，位于上海市閔行區，主要從事先進閃存存儲產品的封裝和測試，產品類型主要包括iNAND閃存模塊，SD、MicroSD存儲器等。產品廣泛應用于移動通信、工業與物聯網、汽車、智能家居及消費終端等領域。其工廠高度自動化，擁有較高的生產效率，是一家在質量、運營、可持續發展等方面屢獲大獎的“燈塔工廠”。

財務數據顯示，晟碟半導體2022年、2023年1-6月的凈利潤分別為35732.06萬元、22158.08萬元。

不過，相較于好業績，投資者更看重的或許是：在AI帶動HBM存儲大熱的當下，盡管晟碟半導體的業務是閃存封裝，但長電科技或許可以借此機會，逐步切入到整個半導體存儲的封測領域。

一個需要提及的背景是，AI大發展帶動AI服務器出貨量持續提升，催化HBM需求持續增長。咨詢公司Trendforce數據顯示，2022年AI服務器出貨量86萬臺，預計2026年AI服務器出貨量將超過200萬臺，年復合增速29%。AI服務器出貨量增長催化HBM需求爆發，疊加服務器平均HBM容量增加，預期到2025年，全球HBM市場規模達到約150億美元，增速超過50%。

從封裝結構看，HBM主要采用CoWoS和TSV兩種先進封裝工藝。當前，HBM與GPU集成的主流解決方案為臺積電的CoWoS封裝工藝，該方案被廣泛應用于A100、GH200等算力芯片中。HBM層與層之間通過TSV（硅通孔）及μbumps（微凸塊）技術實現垂直互聯，從而實現小尺寸與高帶寬、高傳輸速度的兼容。

在先進封裝方面，長電科技在2023年半年報中披露，公司與客戶共同開發基于高密度Fanout封裝技術的2.5DfcBGA產品，TSV異質鍵合3DSoC的fcBGA已經通過認證。在半導體存儲市場領域，公司的封測服務覆蓋DRAM、Flash等各種存儲芯片產品，擁有20多年memory封裝量產經驗，16層NAND flash堆疊，35um超薄芯片制程能力，Hybrid異型堆疊等，都處于國內行業領先的地位。

2月8日，長電科技還在上證e互動平臺上披露，公司推出的XDFOI高性能封裝技術平臺可以支持高帶寬存儲的封裝要求。

長電科技另外披露，公司于2021年推出了針對2.5D、3D封裝要求的多維扇出封裝集成的XDFOI技術平臺，目前已與國內外大客戶在Chiplet的產品研發及推出方面進行合作；并在過去幾年持續推進多樣化方案的研發、量產及全球布局。公司的XDFOI技術平臺覆蓋當前市場上的主流2.5D Chiplet方案，分別是以再布線層（RDL）轉接板、硅轉接板和硅橋為中介層的三種技術路徑，且均已具備生產能力。